QUATRON Serie

Plasmaquelle

Mit der QUATRON bietet die HS-Group höchste Prozesspräzision, flexible Strahlgeometrien und eine einfache Integration in eine Vielzahl von Systemen. Das System ermöglicht homogene, reproduzierbare Beschichtungen und arbeitet stabil bei Ionenenergien von 20 bis 1500 eV. Durch den neutralen Plasmastrahl wird ein Aufladen des Substrates vermieden. Ein Neutralisierer ist somit nicht notwendig.

Dank ihrer vielseitigen Einsatzmöglichkeiten in Ätz-, IBS-, Reinigungs-, Aktivierungs- und PECVD-Prozessen vereint die QUATRON Skalierbarkeit, Prozesssicherheit und maximale Anlagenflexibilität.

Die von der HS-Group GmbH eingesetzten und patentierten Methoden der Plasmaerzeugung und Extraktion ermöglichen den Einsatz von Plasmatechnologie in einer Vielzahl von Anwendungen.

Eine Umstellung unserer Plasmaquellen auf verschiedene Frequenzen wie z.B. 13,56 MHz, 27,12 MHz oder 40 MHz ist problemlos möglich. Höhere Frequenzen führen zu einem höheren Ionisationsgrad und dadurch zu einer höheren Plasmadichte, einem höheren Ionenstrom und höherer Energie.

Beschichtungen direkt „aus der Quelle heraus“ sind möglich. Zum Beispiel bei DLC Prozessen bereiten wir die C+ Atome in der Quelle und bearbeiten die Oberflächen mit definierten Energie, Strom und Richtung.

Die Magnetfeldspulen sind axial gerichtet. Das ermöglicht die Beeinflussung des Magnetfeldes und Änderung der Strahlcharakteristik (Energie, Focus). Mit dem Magnetfeld kann das Plasma auf verschiedenste Prozessbedingungen wie z.B. Kammerdruck eingeregelt werden.

Weitere Besonderheiten unserer QUATRON Plasma-Quellen:

• Neutraler und paralleler Strahl (keine statische Aufladung des Substrates)
• Extraktionsnetz - einziges Verschleißteil
• Ionenenergie im Strahl exakt einstellbar: 20 ... ~2000 eV
• Strahl-Stromstärke: bis ~6 mA/cm²
• Typischer Arbeitsbereich/Druckbereich: 1*10-4 ... 5*10-3 mbar
• Sehr monochrome Energieverteilung im jeweiligen Druckbereich
• Plasmabetrieb mit mehreren Gasen gleichzeitig mit Erstkontakt (Vermischung) in der Plasmaquelle

Mit unseren kapazitiv gekoppelten Plasmaquellen sind sowohl CVD-Prozesse als plasmaunterstützte Prozesse in den gängigen PVD-Verfahren möglich. Der Energiebereich reicht von typisch 20eV bis 2000eV und höher.